前面已經(jīng)對于肖特基系列二極管進(jìn)行了一些簡單的分析，且對它的工作原理有了一些簡單的分析，那么下面將繼續(xù)分析肖特基系列二極管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)。

          那么典型的肖特基系列二極管內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)主要是由N型半導(dǎo)體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層，然后利用二氧化硅來消除邊緣區(qū)域的電場，而提高二極管的耐壓值。

          由于N型基片它具有很小的通態(tài)電阻，所以它的摻雜濃度要比H-層要高100%倍。另外在基片的下邊會形成N+陰極層，那么它的作用主要是減少陰極的接觸電阻，然后通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，N型基片以及陽極金屬之間也就會形成一個肖特基勢壘。

          當(dāng)我們在肖特基勢壘的兩端進(jìn)行陽極金屬接電源正極和N型基片接電源負(fù)極的操作時，這時肖特基勢壘層就會變窄，而且它的內(nèi)部電阻會變小；相反，肖特基的勢壘層則就會變寬，且它的內(nèi)阻也會變大。

          那么上面就是針對典型的肖特基系列二極管的內(nèi)部電路的分析，當(dāng)然關(guān)于這一塊后續(xù)還會繼續(xù)分析它其它方面的信息。另：這方面有什么不懂的地方可以來咨詢我們。

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